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首页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-双极（BJT）-阵列，预偏置
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BCR 116S H6727 BCR 116S H6727 BCR 116S H6727 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR 141S E6727 BCR 141S E6727 BCR 141S E6727 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR135SH6827XTSA1 BCR135SH6827XTSA1 BCR135SH6827XTSA1 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
BCR198SH6827XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
BCR 48PN H6727 BCR 48PN H6727 BCR 48PN H6727 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR183SH6433XTMA1 BCR183SH6433XTMA1 BCR183SH6433XTMA1 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
RN2963FE(TE85L,F) RN2963FE(TE85L,F) RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2964FE(TE85L,F) RN2964FE(TE85L,F) RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
BCR 22PN H6727 BCR 22PN H6727 BCR 22PN H6727 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
RN2966FE(TE85L,F) RN2966FE(TE85L,F) RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
BCR 148S H6827 BCR 148S H6827 BCR 148S H6827 Infineon Technologies 5000 -
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 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
RN2965FE(TE85L,F) RN2965FE(TE85L,F) RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2967FE(TE85L,F) RN2967FE(TE85L,F) RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2969FE(TE85L,F) RN2969FE(TE85L,F) RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2902(T5L,F,T) RN2902(T5L,F,T) RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 5000 -
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 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
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