全部产品
- 集成电路（IC）
-
音频专用(1509)
时钟/定时-特定应用(7763)
时钟/定时-时钟缓冲器、驱动器(4362)
时钟/定时-时钟发生器、PLL、频率合成器(25808)
时钟/定时-延迟线(1029)
时钟/计时-IC电池(4)
时钟/定时-可编程定时器和振荡器(23195)
时钟/计时-实时时钟(2330)
数据采集-ADC/DAC-特殊用途(2828)
数据采集-模拟前端（AFE）(768)
数据采集-模数转换器（ADC）(15632)
数据采集-数字电位计(6286)
数据采集-数模转换器（DAC）(12121)
数据采集-触摸屏控制器(978)
嵌入式-CPLD（复杂可编程逻辑器件）(5026)
嵌入式DSP（数字信号处理器）(3612)
嵌入式FPGA（现场可编程门阵列）(25258)
带微控制器的嵌入式FPGA（现场可编程门阵列）(81)
嵌入式-微控制器(90264)
嵌入式-微控制器-特定应用(2368)
嵌入式微处理器(9818)
嵌入式PLD（可编程逻辑器件）(898)
嵌入式-片上系统（SoC）(3044)
接口-模拟开关-专用(2402)
接口-模拟开关、多路复用器、解复用器(10867)
接口-CODEC(1624)
接口-控制器(3438)
接口-直接数字合成（DDS）(116)
接口-驱动器、接收器、收发器(19810)
接口-编码器、解码器、转换器(666)
- 电容器
- 分立半导体产品
-
二极管-桥式整流器(3018)
二极管-整流器-阵列(8144)
单二极管整流器(22884)
二极管-射频(710)
二极管-可变电容（变容二极管、变容二极管）(561)
二极管-齐纳-阵列(1193)
二极管-齐纳-单(33441)
电源驱动器模块(627)
晶闸管-DIAC、SIDAC(262)
晶闸管-SCR(3067)
晶闸管-SCR-模块(1773)
晶闸管-三端双向可控硅(2452)
晶体管-双极（BJT）-阵列(1240)
晶体管-双极（BJT）-阵列，预偏置(1438)
晶体管-双极（BJT）-RF(1217)
晶体管-双极（BJT）-单(11624)
晶体管-双极（BJT）-单，预偏置(2994)
晶体管-FET，MOSFET-阵列(3180)
晶体管-FET，MOSFET-RF(2680)
晶体管-FET，MOSFET-单个(25505)
晶体管-IGBT-阵列(16)
晶体管-IGBT-模块(1522)
晶体管-IGBT-单个(2888)
晶体管-JFET(615)
晶体管-可编程单结(12)
晶体管-特殊用途(157)
二极管-整流器-单个(50121)
- 电感器、线圈、扼流圈
- 隔离器
- 电路保护
- 继电器
- RF/IF和RFID
-
衰减器(678)
巴伦(320)
射频配件(1260)
射频放大器(2459)
射频解调器(125)
射频探测器(216)
射频双工器(149)
射频定向耦合器(118)
射频评估和开发套件、板(3844)
RF前端（LNA+PA）(173)
射频杂项IC和模块(1234)
射频混频器(743)
射频调制器(146)
射频功率控制器IC(22)
射频功率分配器/分配器(78)
射频接收器、发射器和收发器成品单元(303)
射频接收器(1077)
射频屏蔽(31)
射频开关(959)
射频收发器IC(1968)
射频收发器模块(965)
射频发射机(1754)
RFI和EMI-触点、指杆和垫片(154)
RFI和EMI-屏蔽和吸收材料(1260)
RFID配件(35)
RFID天线(54)
RFID评估和开发套件、板(169)
RFID读取器模块(101)
RFID转发器，标签(375)
RFID、射频接入、监控IC(720)
- 音频产品
更多产品类别 >>
| 数据表 | 图片 | 型号 | 品牌 | 库存 | 价格/元 | 数量 | 描述 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
|
EGL41DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 0.952000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB |
|
|
AU2PJHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A |
|
|
EGL41FHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 0.952000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB |
|
|
AU2PKHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE AVALANCHE 800V 1.3A TO277A |
|
|
EGL41GHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 0.952000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB |
|
|
AU2PKHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE AVALANCHE 800V 1.3A TO277A |
|
|
AU2PMHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE AVALANCH 1KV 1.3A TO277A |
|
|
AU2PMHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE AVALANCH 1KV 1.3A TO277A |
|
|
VS-8EWS10S-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK |
|
|
BYM10-1000HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 0.952000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB |
|
|
VS-8EWS10STRL-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK |
|
|
BYM10-100HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 0.952000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
|
|
VS-8EWS10STR-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK |
|
|
VS-8EWS10STRR-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 3.400000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK |
|
|
BYM10-200HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5000 | 0.952000 |
加入购物车立即询价 |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB |
请求报价
Copyright © 2022香港沃捷斯电子有限公司
地址: 深圳市福田区中航路都会100大厦都会电子城1C022
